قائمة معالجات إنتل
صفحة 1 من اصل 1
قائمة معالجات إنتل
تعتبر إنتل الشركة الرائدة في مجال استخدام المعالجات ذات الأنوية المتعددة في أجهزة الكمبيوتر الشخصية والأجهزة الدفترية المحمولة.
ويشبه تأثير استخدام معالج بنواة ثنائية أو بعدد من الأنوية مثل وجود 6 أو
8 أسطوانات في محرك سيارتك بدلاً من 4 أسطوانات، أو مثل وجود عشر مسارات
على طريق سريع بدلاً من 6 مسارات.
وفي العمل يعني ذلك أنك تمتلك القدرة على التعامل مع أعباء العمل
المتزايدة والعمليات المتزامنة والتطبيقات المعقدة من دون ظهور أي انحدار
في الخدمة.
والأهم من هذا وذاك، أنه بفضل وجود دوائر أصغر حجماً، فإن تكنولوجيا النواة المتعددة توفر فاعلية في استهلاك الطاقة الأمر الذي يعني تحقيق مكاسب في الأداء من دون أن ينجم عن ذلك زيادة في استهلاك الطاقة.
ولم تحتاج بطاريات الأجهزة المحمولة إلى زيادة حجمها ووزنها.
ما هو الإبداع الفني؟ لقد أمكن التوصل إلى تكنولوجيا النواة المتعددة من
خلال الدوائر الإلكترونية التي تتقلص أبعادها بشكل مستمر والتي يمكن حفرها
على شريحة المعالج.
وتمكنت إنتل في فترة سابقة من تقليل معدل حجم هيكل كل
دائرة لتصل إلى 65 نانو متر، وهو حجم صغير جداً ويمكن من خلاله وضع 1400
معالج داخل قطر شعرة آدمية.
- 1معالجات 4 بت
- 1.1 إنتل 4004: أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة
- 1.2 4040
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 4 بت
إنتل 4004: أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة
4040
معالجات 8 بت
8008
8080
8085
__________________
إنتل 4004: أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة
- تاريخ الإدخال في العمل 15 نوفمبر 1971
- تردد الساعة 740 كيلوهرتز
- الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
- عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين و البيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
- نصف ناقل أكسيد المعدن ذو القناة P
- عدد الترانزستورات 2،300 على 10 ميكرومتر
- الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
- ذاكرة البرنامج 4 كيلوبايت
- أول معالج مكروي تجاري (F14 CADC)
- استعمل في آلة شركة بوسيكوم (Busicom) الحاسبة.
- كانت الغاية الوصول إلى تردد ساعة يعادل التردد المستخدم في حاسوب IBM 1620 لكن ذلك لم يتحقق.
4040
- تاريخ الإدخال في العمل الربع الأخير من سنة 1974
- تردد الساعة من 500 إلى 740 كيلوهرتز (باستعمال كريستالات بتردد من 4 إلى 5.185 ميجاهيرتز)
- الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
- عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين و البيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
- نصف ناقل أكسيد المعدن ذو القناة P
- عدد الترانزستورات 3000 على 10 ميكرومتر
- الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
- ذاكرة البرنامج 8 كيلوبايت
- أشعة المقاطعة (Interrupts)
- نسخة متطورة من 4004
معالجات 8 بت
8008
- تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1972
- تردد الساعة 500 كيلوهرتز (8008-1: 800 كيلوهرتز)
- الطاقة المقدرة 0.05 MIPS
- عرض الممر 8 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين و البيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
- نصف ناقل أكسيد المعدن ذو القناة P
- عدد الترانزستورات 3500 على 10 ميكرومتر
- الذاكرة القابلة للعنونة 16 كيلوبايت
- شائع في الطرفيات الخاملة، الآلات الحاسبة، آلات التعليب Typical in dumb terminals، general calculators، bottling machines
- طور بالتوازي مع 4004
- الغرض الأصلي من تطويره كان استعماله ضمن الطرفية داتابوينت 2200 (Datapoint 2200)
8080
- تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1974
- تردد الساعة 2 ميجاهرتز
- الطاقة المقدرة 0.64 MIPS
- عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت
- نصف ناقل أكسيد معدني ذو القناة N
- عدد الترانزستورات 6000 على 6 ميكرومتر
- الذاكرة القابلة للعنونة 64 كيلوبايت
- تضاعف الآداء 10 مرات عن 8008
- استخدم في التاير 8800 (Altair 8800)، متحكمات إشارات المرور، صواريخ
كرويز Used in the Altair 8800، Traffic light controller، cruise missile - يحتاج إلى 6 رقائق محيطة بالمقارنة مع 20 رقاقة مستخدمة في المعالج 8008
8085
- تاريخ الإدخال في العمل مارس 1976
- تردد الساعة 5 ميجاهرتز
- الطاقة المقدرة 0.37 MIPS
- عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت
- عدد الترانزستورات 6500 على 3 ميكرومتر
- لغة التجميع متوافقة ارتجاعيا مع 8080.
- استخدم في مقياس توليدو كما استخدم في متحكمات الدخل و الخرج (مودم، أقراص صلبة...الخ).
- استخدمت النسخة المبنية على تكنولوجيا CMOS في الحاسب المحمول TRS-80 Model 100 line
- مستوى عالي التكامل (High level of integration)، أول معالج يعمل بجهد
5 فولت بدلا من 20 فولت. كما يحتوي على وصلتي إدخال و إخراج تسلسليتين.
__________________
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 16 بت: بداية التصميم x86
8086
- تاريخ الإدخال في العمل 8 يونيو 1978
- ترددات الساعة:
- 5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
- 8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.66 MIPS
- 10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
(segments) كل منها بحجم 64 كيلوبايت مما يسهل الوصول المباشر إلى كل مقطع.
- تاريخ الإدخال في العمل 1 يونيو 1979
- ترددات الساعة:
- 5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
- 8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
- تاريخ الإدخال في العمل 1982
- استخدم غالبا في التطبيقات المدمجة كالمتحكمات (controllers)، نظم نقاط البيع (point-of-sale systems) و المنافذ (terminals)
- تميز عن المعالجات السابقة بدمج عدد من الدارات التخصصية إلى رقاقة
المعالج كمولدي التزامن (Timer)، متحكم الوصول المباشر للذاكرة (DMA
controller)و متحكم المقاطعة (interrupt controller). - أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 186
- نسخة من 80186 مع ممر معطيات بعرض 8 بت بدلا من 16 بت.
- أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 188
- تاريخ الإدخال في العمل 1 فبراير 1982
- ترددات الساعة:
- 6 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.9 MIPS
- 8 ميجاهرتز، 10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 1.5 MIPS
- 12.5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.66 MIPS
يتيح التعامل مع 16 ميجابايت من الذاكرة الحقيقية. كما يقوم بحماية مجالات
الذاكرة من التداخل عند إجراء مهام متعددة بنفس الوقت.
- تضاعف الآداء من 3 إلى 6 مرات عن 8086
- استخدم على نطاق واسع في الحاسوب الشخصي (PC) و الحواسب المتطابقة معه.
- Can scan the Encyclopædia Britannica in 45 seconds
__________________
رد: قائمة معالجات إنتل
32-bit processors: The non-x86 µPs
iAPX 432
- Introduced January 1، 1981 as Intel's first 32-bit microprocessor
- Object/capability architecture
- Microcoded operating system primitives
- One terabyte virtual address space
- Hardware support for fault tolerance
- Two-chip General Data Processor (GDP)، consists of 43201 and 43202
- 43203 Interface Processor (IP) interfaces to I/O subsystem
- 43204 Bus Interface Unit (BIU) simplifies building multiprocessor systems
- 43205 Memory Control Unit (MCU)
- Architecture and execution unit internal data paths 32 bit
- Clock speeds:
- 5 ميجاهيرتز
- 7 ميجاهيرتز
- 8 ميجاهيرتز
i960 aka 80960
- Introduced April 5، 1988
- RISC-like 32-bit architecture
- predominantly used in embedded systems
- Evolved from the capability processor developed for the BiiN joint venture with Siemens
- Many variants identified by two-letter suffixes.
- Introduced August 23، 2000
- 32-bit RISC microprocessor based on the ARM architecture
- Many variants، such as the PXA2xx applications processors، IOP3xx I/O processors and IXP2xxx and IXP4xx network processors.
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 32 بت: عائلة 80386
80386DX
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوبن 16 بت
نصف ناقل أكسيد معدني متمم (CMOS)
عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
أول رقاقة بتصميم x86 قادرة على التعامل مع حجم كلمة 32 بت
تحسين نمط التشغيل المحمي و إضافة نمط جديد هو النمط الافتراضي
(virtual mode) الذي يستطيع أن يحاكي عددا من معالجات 8086 في نفس الوقت.
إضافة خصائص يتطلبها نظامي تشغيل ويندوز 95 و OS/2
استعمل في الحاسبات المكتبية
80386SX
عرض ممر المعطيات 16 بت
عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميغابايت
الذاكرة الافتراضية 256 غيغابايت
عرض ممر العناوين 16 بت يسمح بمعالجة بعرض 32 بت بتكاليف منخفضة
يدعم تعدد الوظائف (multitasking)
استعمل في الحواسب المكتبية و المحمولة الأولى
80376
80386SL
عرض ممر المعطيات 16 بت
عدد الترانزستورات 855000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
أول رقاقة تم تصميمها بشكل خاص للحواسب المحمولة حيث تتميز باستهلاك منخفض للطاقة
له خصائص مدمجة عالية حيث يتضمن متحكمات الذاكرة المخبئية و الذاكرة الرئيسية و ممرات النقل
80386EX
لاقى نجاحا واسعا أكثر من المعالج 80376
استعمل في الأقمار الاصطناعية كما استخدمته ناسا في مشروعها فلايتلينوكس (FlightLinux)
معالجات 32 بت : عائلة 80486
80486DX
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 مليون على 1 ميكرومتر (0.8 ميكرومتر لنموذج الـ 50 ميجاهيرتز)
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
تحتوي الرقاقة على ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
تضاعف الآداء 50 مرة عن 8080
استعمل في الحواسب المكتبية و المخدمات
80486SX
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.185 مليون على 1 ميكرومتر و 900000 على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
يختلف عن المعالج 80486DX فقط بعدم وجود معالج مساعد رياضي (math coprocessor)
استخدم في الحواسب المكتبية قليلة التكلفة والتي تستعمل معالجات من عائلة 80486
تمت ترقيته بمعالج إنتل المطور (Intel OverDrive)
80486DX2
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 ميليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
استخدم في الحواسب المكتبية ذات الآداء العالي و التكلفة المنخفضة
يستخدم تقنية "مضاعف السرعة" حيث يعمل المعالج داخليا بسرعة تعادل ضعف سرعة الممر
80486SL
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.4 مليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 64 ميغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
استخدم في الحواسب المحمولة
80486DX4
عدد الترانزستورات 1.6 مليون على 0.6 ميكرومتر
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
عدد الأرجل 168 لغطاء بي جي أي (PGA) و 208 لغطاء اس كيو اف بي (SQFP)
مساحة الرقاقة 345 ملم²
استخدم في الحواسب المكتبية متوسطة الكلفة ذات الأداء العالي و في الحواسب المحمولة عالية الكلفة
معالجات 32 بت : بنتيوم I
بنتيوم Pentium
تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر (P54C)
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
عدد الترانزستورات 3.2 ميليون
75 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 أكتوبر 1994
90 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994
100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 27 مارس 1995
</li>
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P54C)
عدد الترانزستورات 3.3 ميليون
مساحة الرقاقة 90 ملم²
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل مارس 1995
133 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل يونيو 1995
150 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996
166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996
200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 يونيو 1996
</li>
بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX
80386DX
- تاريخ الإدخال في العمل 17 أكتوبر 1985
- ترددات الساعة:
- 16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 5 إلى 6 MIPS
- 16 فبراير 1987 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 6 إلى 7 MIPS
- 4 أبريل 1988 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 8.5 MIPS
- 10 أبريل 1989 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 11.4 MIPS
(virtual mode) الذي يستطيع أن يحاكي عددا من معالجات 8086 في نفس الوقت.
80386SX
- تاريخ الإدخال في العمل 16 يونيو 1988
- ترددات الساعة:
- 16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.5 MIPS
- 25 يناير 1989 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة MIPS 2.5 و 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.7 MIPS
- 26 أكتوبر 1992 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.9 MIPS
80376
- تاريخ الإدخال في العمل 16 يناير 1989; أوقف العمل به بتاريخ 15 يونيو 2001
- أحد معالجات عائلة 386 مخصص للأنظمة المدمجة
- من دون "نمط حقيقي"، يقلع مباشرة بوضعية "نمط محمي"
- تم استبداله في عام 1994 بالمعالج 80386EX
80386SL
- تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر 1990
- ترددات الساعة:
- 20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 4.21 MIPS
- 30 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 5.3 MIPS
80386EX
- تاريخ الإدخال في العمل أوغسطس 1994
- نوع مشابه للمعالج 80386SX مخصص للأنظمة المدمج
- إمكانيةالتحكم بتردد الساعة و تبطيىء المعالج حتى الصفر باستخدام نمط
التوقف الحقيقي الذي يحفظ حالة العمل الكاملة للرقاقة في الذاكرة مع
استهلاك أصغري للطاقة - الطرفيات على الرقاقة:
- متحكمات الساعة و الطاقة
- مولدات تزامن (مؤقتات)/عدادات
- مؤقت المراقب
- وحدات دخل/خرج تسلسلية (متزامنة و غير متزامنة) و تفرعية
- الوصول المباشر للذاكرة (DMA)
- ذلكرة وصول عشولئي متجددة (Refresh RAM)
- JTAG دارة الاختبار المنطقية
معالجات 32 بت : عائلة 80486
80486DX
- تاريخ الإدخال في الشغل 10 أبريل 1989
- ترددات الساعة:
- 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
- 7 مايو 1990 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
- 24 يونيو 1991 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
80486SX
- تاريخ الإدخال في العمل 22 أبريل 1991
- ترددات الساعة:
- 16 سبتمبر 1991 16 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 13 MIPS و 20ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 16.5 MIPS
- 16 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
- 21 سبتمبر 1992 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
80486DX2
- تاريخ الإدخال في العمل 3 مارس 1992
- ترددات الساعة:
- 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
- 10 أغسطس 1992 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 54 MIPS
80486SL
- تاريخ الإدخال في العمل 9 نومبر 1992
- ترددات الساعة:
- 20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 15.4 MIPS
- 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 19 MIPS
- 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 25 MIPS
80486DX4
- تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس، 1994
- ترددات الساعة:
- 75 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 53 MIPS
- 100 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 70.7 MIPS
معالجات 32 بت : بنتيوم I
بنتيوم Pentium
- تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1993
- تقنية التصنيع 0.8 ميكرومتر (P5)
- عرض ممر المعطيات 64 بت، ممر العناوين 32 بت
- تردد نظام الممرات 50 أو 60 أو 66 ميجاهيرتز
- عدد الترانزستورات 3.1 مليون
- الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
- الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
- غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 4 بـ 273 رجل
- أبعاد الغطاء 2.16 إنش × 2.16 إنش
- معالجة فائقة التدرج أتاحت مضاعفة الآداء 5 مرات عن معالج 486DX ذو التردد 33 ميجاهيرتز
- يعمل بجهد 5 فولت
- استخدم في الحواسب المكتبية
- 16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- الأصناف
- 60 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 100 MIPS
- 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 112 MIPS
بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX
- تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
- تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P55C)
- تعليمات إنتل إم إم إكس (Intel MMX Instructions)
- غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
- 32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- عدد الترانزستورات 4.5 ميليون
- تردد نظام الممرات 66 ميجاهيرتز
- الأصناف
- 166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
- 200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997
- 233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يونيو 1997
- 166 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
- 200 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997
- 233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997
- 266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
- 300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 7 يناير 1999
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 32 بت: بنتيوم برو، بنتيوم II، سيليرون، بنتيوم III، بنتيوم إم
بنتيوم برو Pentium Pro
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر أو 0.35 ميكرومتر CPU و 0.6 ميكرومتر L2 cache
عدد الترانزستورات 36.5 مليون أو 22 مليون
512 كيلو بايت أو 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 60 أو 66 ميجاهيرتز
الأصناف
166 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
180 ميجاهيرتز (60 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 1 ميغابايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 18 أغسطس 1997
</li>
بنتيوم II
بنية (Deschutes) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر (333، 350، 400، 450 ميجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز (للصنف 333ميجاهيرتز فقط)، 100ميجاهيرتز لباقي الأصناف
الأصناف
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
350 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 9 سبتمبر 1998
333 ميجاهيرتز (محمول)
</li>
سيليرون Celeron (يعتمد على بنتيوم II)
بنية (Mendocino) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو
منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
عدد الترانزستورات 19 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
الأصناف
300A ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
366 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999
433 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1999
466 ميجاهيرتز
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 2000
266 ميجاهيرتز (محمول)
300 ميجاهيرتز (محمول)
333 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل 1999
366 ميجاهيرتز (محمول)
400 ميجاهيرتز (محمول)
433 ميجاهيرتز (محمول)
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
466 ميجاهيرتز (محمول)
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
</li>
بنتيوم III
بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2)
ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة و من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip
pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
533 ميجاهيرتز
550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
600 ميجاهيرتز
600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو 2000
1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 مارس 2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)
400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل 2000
750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000
800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
</li>
بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل يوليو 2001
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت أو 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز
الأصناف
1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1200 ميجاهيرتز
1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1333 ميجاهيرتز
1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
</li>
بنتيوم II و III زيون(Xeon)
بنتيوم III كزيون (PIII Xeon)
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
عدد الترانزستورات: 9.5 مليون على 0.25 ميكرومتر أو 28 مليون على 0.18 ميكرومتر
256 كيلوبايت أو 1-2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) أو إس سي 330 (SC330)
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز (256 كيلو بايت L2) أو 100 ميجاهيرتز (1 - 2 ميغابايت L2)
عرض ممرات النظام 64 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 64 غيغابايت
يستخدم في المخدمات ثنائية الإتجاه (two-way servers) و في محطات
العمل (256 كيلوبايت L2) أو المخدمات رباعية و ثمانية الإتجاه (1 - 2
ميغابايت L2)
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 17 مارس 1999
550 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 1999
600 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
667 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
733 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
800 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 2000
866 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل 2000
933 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2)
1000 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 أغسطس 2000
700 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 1-2 ميغابايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 مايو 2000
</li>
سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية كوبرماين)
سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية توالاتين)
بنتيوم إم
بنية (Dothan) بتقنية التصنيع 0.09 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل مايو 2004
2 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
Revised data prefetch unit
الأصناف
1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.1 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.2 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.3 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.3 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.4 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.5 جيجاهيرتز
1.6 جيجاهيرتز
1.7 جيجاهيرتز
1.8 جيجاهيرتز
1.9 جيجاهيرتز
2.0 جيجاهيرتز
2.13 جيجاهيرتز
2.26 جيجاهيرتز
</li>
نواة إنتل Intel Core
سيليرون إم
Dothan-1024 90 nm تقنية التصنيع
64 كيلو بايت L1 cache
1 ميجا بايت L2 cache (integrated)
No SpeedStep technology، is not part of the 'Centrino' package
الأصناف
350 - 1.30 جيجاهيرتز
350J - 1.30 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
360 - 1.40 جيجاهيرتز
360J - 1.40 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
370 - 1.50 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
380 - 1.60 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
390 - 1.70 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
</li>
نواة مزدوجة زيون Xeon LV
بنتيوم برو Pentium Pro
- تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
- تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر
- غطاء من نوع إس بي جي أي الثنائي (Dual SPGA) ذو مقبس سوكيت 8 بـ 387 رجل
- عدد الترانزستورات 22 مليون
- 16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
- تردد ممرات النظام 60 ميجاهيرتز
- الأصناف
- 155 ميجاهيرتز
بنتيوم II
- تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
- بنية (Klamath) بتقنية تصنيع 0.35 ميكرومتر (233، 266، 300 ميجاهيرتز)
- مطابق لبنتيوم برو مع إضافة تعليمات MMX و تطوير دعم تطبيقات 16 بت
- غطاء من نوع إس إي سي (SEC، Single Edge Contact) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
- عدد الترانزستورات 7.5 مليون
- تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
- 32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
- الأصناف
- 233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
- 266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
- 300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997
سيليرون Celeron (يعتمد على بنتيوم II)
- تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
- بنية (Covington) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
- غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
- عدد الترانزستورات 7.5 مليون
- تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
- 32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- لا توجد ذاكرة مخبئية من المستوى الثاني
- الأصناف
- 266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
- 300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 يونيو 1998
منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
بنتيوم III
- تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
- بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
- بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
- عدد الترانزستورات 9.5 مليون
- 32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
- غطاء من نوع إس إي سي سي2 ( SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
- تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
- الأصناف
- 450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
- 500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
- 550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو 1999
- 600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
- 533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
- 600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة و من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip
pin grid array) ذو 370 إبرة
بنتيوم II و III زيون(Xeon)
- بنتيوم II زيون (PII Xeon)
- الأصناف
- 400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو 1998
- 450 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 6 أكتوبر 1998
- 450 ميجاهيرتز (1-2 ميغابايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 5 يناير 1999
العمل (256 كيلوبايت L2) أو المخدمات رباعية و ثمانية الإتجاه (1 - 2
ميغابايت L2)
سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية كوبرماين)
- تاريخ الإدخال في العمل مارس 2000
- بنية كوبرماين- 128 (128 Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومت
- تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
- غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
- عدد الترانزستورات 28.1 مليون
- تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز، 100 ميجاهيرتز في 3 يناير 2001
- 32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
- الأصناف
- 533 ميجاهيرتز
- 566 ميجاهيرتز
- 633 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000
- 667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000
- 700 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000
- 733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000
- 766 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000
- 800 ميجاهيرتز
- 850 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 أبريل 2001
- 900 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001
- 950 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
- 1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
- 1100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
- 1200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أكتوبر 2001
- 1300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 3 يناير 2002
- 550 ميجاهيرتز (محمول)
- 600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000
- 650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000
- 700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل [[25 سبتمبر]، 2000
- 750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
- 800 ميجاهيرتز (محمول)
- 850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001
- 600 ميجاهيرتز (جهد منخفض محمول)
- 500 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول) تاريخ الإدخال في العمل 30 يناير 2001
- 600 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول)
سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية توالاتين)
- 32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 256 كيلو بايت ن الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
- تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
- الأصناف
- 1.0 غيغاهيرتز
- 1.1 غيغاهيرتز
- 1.2 غيغاهيرتز
- 1.3 غيغاهيرتز
- 1.4 غيغاهيرتز
بنتيوم إم
- تاريخ الإدخال في العمل مارس 2003
- بنية (Banias) بتقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
- 64 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
- 1 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
- مبني على نواة بنتيوم III مع تعليمات إس إس إي (SSE)(توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة) و معالجة تدفقية مطورة
- عدد الترانزستورات 77 مليون
- غطاء المعالج من نوع Micro-FCPGA و Micro-FCBGA
- اساس أنظمة إنتل موبيال سنترينو (Intel mobile Centrino)
- ممرات نظام ذوة تصميم Netburst بتردد 400 ميجاهيرتز.
- الأصناف
- 900 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
- 1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
- 1.1 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
- 1.2 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
- 1.3 جيجاهيرتز
- 1.4 جيجاهيرتز
- 1.5 جيجاهيرتز
- 1.6 جيجاهيرتز
- 1.7 جيجاهيرتز
نواة إنتل Intel Core
- تاريخ الإدخال في العمل January 2006
- Yonah 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
- 667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت (Shared on Duo) L2 cache
- الأصناف:
- Intel Core Duo T2600 2.16 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
- Intel Core Duo T2500 2.00 جيجاهيرتز (Apple Computer iMac، MacBook Pro - Jan 06)
- Intel Core Duo T2400 1.83 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
- Intel Core Duo T2300 1.66 جيجاهيرتز (Apple Computer Mac Mini -Mar 06)
- Intel Core Solo T1300 1.66 جيجاهيرتز
سيليرون إم
- Banias-512 0.13 ميكرومتر تقنية التصنيع
- تاريخ الإدخال في العمل March 2003
- 64 كيلو بايت L1 cache
- 512 كيلو بايت L2 cache (integrated)
- No SpeedStep technology، is not part of the 'Centrino' package
- الأصناف
- 310 - 1.20 جيجاهيرتز
- 320 - 1.30 جيجاهيرتز
- 330 - 1.40 جيجاهيرتز
- 340 - 1.50 جيجاهيرتز
نواة مزدوجة زيون Xeon LV
- تاريخ الإدخال في العمل March 2006
- Sossaman 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
- 667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت Shared L2 cache
- الأصناف
- 2.0 جيجاهيرتز
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 32 بت: عائلة بنتيوم 4
بنتيوم 4
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر(1.7 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 23 أبريل 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
</li>
تقنية التصنيع 0.18 ميكرومتر (1.6، 1.8 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
تعمل النواة بجهد 1.15 فولت في نمط الآداء الأعظمي وبجهد 1.05 في نمط المدخرة (البطارية) المحسن
الاستطاعة < 1 واط في نمط المدخرة المحسن
يستخدم في الحواسب المحمولة
</li>
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر ببنيةWillamette (1.9، 2.0 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 27 أغسطس 2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
</li>
بنتيوم 4 (2 جيجاهيرتز، 2.20 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 7يناير 2002
</li>
بنتيوم 4 (2.4 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 2002
</li>
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood A (1.7، 1.8، 1.9، 2، 2.2، 2.4، 2.5، 2.6 جيجاهيرتز)
تقنية توقع التفرع محسنة
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
عدد الترنزستورات 55 مليون
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز.
</li>
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood B (2.26، 2.4، 2.53، 2.66، 2.8، 3.06 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز. (3.06 يتضمن تقنية التشعب الفائق).
</li>
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood C (2.4، 2.6، 2.8، 3.0، 3.2، 3.4 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز (جميع النماذج تستخدم تقنية التشعب الفائق )
الطاقة المقدرة من 6500 إلى 10000 MIPS
</li>
زيون Xeon
2.0 جيجاهيرتز و حتى 3.6 جيجاهيرتز
تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2001
</li>
بنتيوم 4 موبايل-M Mobile Pentium 4-M
بنتيوم 4 اكستريم اديشن (Pentium 4 EE)
بنتيوم 4E
بنتيوم 4F
بنتيوم 4
- تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر (1.40 و 1.50 جيجاهيرتز)
- تاريخ الإدخال في العمل 20 نوفمبر 2000
- 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
- غطاء من نوع بي جي اي 423، بي جي اي 478
- تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
- تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
- عدد الترنزستورات 42 مليون
- يستخدم في الحواسب المكتبية و محطات العمل
زيون Xeon
- 1.4، 1.5، 1.7 جيجاهيرتز
- تاريخ الإدخال في العمل 21 مايو 2001
- 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
- غطاء من نوع او ايل جي أي 603 (OLGA 603)
- تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
- تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
- يستخدم في محطات العمل فائقة الآداء ذات المعالجات الثنائية
بنتيوم 4 موبايل-M Mobile Pentium 4-M
- تقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
- 55 مليون ترانزيستور
- 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
- تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
- يدعم 1 غيغابايت من الذاكرة الرئيسية ذات معدل نقل البيانات المضاعف و تردد 266 ميجاهيرتز DDR 266
- يدعم نظم إدارة الطاقة ACPI 2.0 و APM 1.2
- 1.3 V - 1.2 V (سبيدستيب SpeedStep)
- الاستطاعة: 1.2 جيجاهيرتز 20.8 واط، 1.6 جيجاهيرتز 30 واط، 2.6 جيجاهيرتز 35 واط
- الاستطاعة في وضع السبات 5 واط (1.2 فولت)، 2.9 واط (1.0 فولت)
- 2.60 جيجاهيرتز - 11 يونيو 2003
- 2.50 جيجاهيرتز - 16 أبريل 2003
- 2.40 جيجاهيرتز - 14 يناير 2003
- 2.20 جيجاهيرتز - 16 سبتمبر 2002
- 2.00 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002
- 1.90 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002
- 1.80 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
- 1.70 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
- 1.60 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
- 1.50 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002
- 1.40 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002
بنتيوم 4 اكستريم اديشن (Pentium 4 EE)
- تاريخ الإدخال في العمل September 2003
- يعتمد في تصميمه على نواة غالاتين (Gallatin) لمعالج كزيون و لكن بذاكرة مخبئية 2 ميغابايت
بنتيوم 4E
- تاريخ الإدخال في العمل فبراير 2004
- بنية بريسكوت Prescott (2.4A، 2.8، 2.8A، 3.0، 3.2، 3.4، 3.6، 3. بتقنية تصنيع 0.09 ميكرومتر
- 1 ميغا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
- تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز (2.4A 2.8A)
- تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز ()
- تقنية التشعب الفائق مدعومة في المعالجات ذات تردد ممر المعطيات 800 ميجاهيرتز.
- زيادة عدد مراحل المعالج التدفقية من 20 إلى 31 مرحلة مما يسمح نظريا بزيادة تردد الساعة
- الطاقة المقدرة من 7500 إلى 11000 MIPS
- المعالجات من طراز 5xx تحتوي على مقبس LGA-775 و من طراز 5x1 تدعم توسيعة EM64T
- المعالجات ن طراز 6xx تدعم توسيعة EM64T و تحتوي على 2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
بنتيوم 4F
- تاريخ الإدخال في العمل Spring 2004
- نواة مماثلة لنواة بنتيوم4E
- 3.2 - 3.6 جيجاهيرتز
رد: قائمة معالجات إنتل
معالجات 64-بت:
IA-64
إيتانيوم Itanium
إيتانيوم 2
The 64-bit processors:
EM64T
بنتيوم 4F، وما بعده
بنتيوم D
yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache
(non-shared) 800 ميجاهيرتز system bus no hyperthreading
بنتيوم إكستريم إديشن Pentium Extreme Edition رقم 955
__________________
IA-64
- New instruction set، not at all related to x86
- Current IA-64 processors support 32-bit x86 in hardware، but slowly
إيتانيوم Itanium
- Released May 29، 2001
- 733 ميجاهيرتز and 800 ميجاهيرتز
إيتانيوم 2
- Released July 2002
- 900 ميجاهيرتز and 1 جيجاهيرتز
The 64-bit processors:
EM64T
- Intel® Extended Memory 64 Technology
- Introduced Spring 2004، with the Pentium 4F (D0 and later P4 steppings)
- 64-bit architecture extension for the x86 range; near clone of AMD64
بنتيوم 4F، وما بعده
- Starting with the D0 stepping of this processor، EM64T 64-bit extensions are supported
بنتيوم D
- Introduced Q2 2005
- Smithfield dual-core version
- 2.8–3.4 جيجاهيرتز
- 1 ميجا بايت + 1 ميجا بايت L2 cache (non-shared، 2 ميجا بايت total)
- 800 ميجاهيرتز system-bus
- Not hyperthreading، performance increase of 60% over similarly clocked Prescott
- Cache-coherency between cores requires communication over the 800 ميجاهيرتز FSB
yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache
(non-shared) 800 ميجاهيرتز system bus no hyperthreading
بنتيوم إكستريم إديشن Pentium Extreme Edition رقم 955
- Presler Core
- 3.46 جيجاهيرتز Clock Speed
- Enabled Hyper Threading
- 2 x 2 ميجا بايت of memory cache
__________________
صفحة 1 من اصل 1
صلاحيات هذا المنتدى:
لاتستطيع الرد على المواضيع في هذا المنتدى